Megháromszorozott tranzisztor teljesítmény

Huiling Shang, az IBM kutatói csoportjának egyik tagja elmondta, hogy cége felfedezett egy eljárást, amely során germániumot használnak az elektronok áramlásának javítására a tranzisztorokban.

A módszer során a tranzisztor csatornájára - vagy arra a területre, amelyen keresztül az elektromosság áramlik - egy germánium-réteget vittek fel, hogy ez által egy további közeget hozzanak létre az elektronok áramlásának, a csatornán belül. Az így készült tranzisztorok háromszor akkora teljesítményre képesek, mint a hagyományos tranzisztorok.

Az új módszer egy újabb lehetőséget ad a tranzisztorok teljesítményének növelésére, mivel a tranzisztorok miniatürizálásával ez egyre nehezebbé válik - magyarázta Shang. A technológia jelenleg még mindig kutatási fázisban van, azonban az IBM abból indul ki, hogy a 2013-ra tervezett 32 nanométeres chipgyártási eljárásban már fel fogja tudni használni. A lapka-gyártók éveken keresztül úgy növelték a teljesítményt, hogy egyre kisebb és kisebb tranzisztorokat hoztak létre. Minél kisebb egy tranzisztor, általában annál gyorsabb, és annál több fér belőlük egyetlen lapkára. A nagy gyártók, mint amilyen az IBM és az Intel, már vizsgálódnak olyan eljárások után, amelyek túlmutatnak a tranzisztorok egyszerű miniatürizálásánál. Az Intel például az évtized végére háromkapus tranzisztorok integrálását tervezi termékeibe, hogy kordában tarthassa a feszültség elszivárgását.