A Qualcomm többé-kevésbé (inkább kevésbé) bejelentette a 2017-es csúcs mobilos lapkakészletét, ám a jövő évi felső kategóriás készülékek döntő többségének lelkét adó Snapdragon 835 lapkakészletről egyelőre kevés érdemi információt osztott meg a vállalat.
Annyi biztos, hogy a termék 10 nanométeres FinFET technológiával készül majd a Samsung gyártósorain. A jelenlegi 14 nanométeres Snapdragon 821-hez képest a Qualcomm 27 százalékkal jobb teljesítményt vagy 40 százalékkal kevesebb fogyasztást ígér, továbbá a technikai váltással 30 százalékkal csökkent a chip fizikai mérete. Fontos, hogy itt pusztán a gyártástechnológiából fakadó előrelépésekről van szó, a lapkakészlet egyéb újításairól csak később fog tájékoztatást nyújtani a Qualcomm.
A mai nap másik fontos bejelentése, hogy a Qualcomm Snapdragon 835 elsőként fogja támogatni a Qualcomm Quick Charge 4.0 gyorstöltési eljárást. A jelenlegi 3.0-s megoldáshoz képest, legalább 5°C környezeti hőmérséklet esetén olyan 20 százalékkal csökkenti a töltési időt. Konkrét példával élve a cég szerint egy 2750 milliamperes mobilakku 5 percnyi töltésével 5 órányi üzemidőt kaphatnak a mobilozók, 15 perc alatt pedig akár 50 százalékos töltöttség is elérhető.
(Forrás: 9to5Google)
