A jelenleg tapasztalható alacsony DDR2 memóriaárak a felhasználók szemében magát a mennyországot jelentik, ám annál nagyobb fejtörést okoznak a chipek gyártói számára. A nyereségesség visszaállítása érdekében a gyártóknak a lapkák előállítási költségéből kell lefaragniuk, azonban ez sem egyszerű feladat, hiszen mindez új gyártástechnológiát igényel.
A Samsungnál jól láthatóan gőzerővel dolgoznak a megoldáson, amit -- úgy tűnik -- sikerült megtalálniuk. A gyártó bejelentése szerint sikerült 40 nanométeres gyártástechnológiával 1 Gbites DDR2 DRAM modulokból 1 gigabájtos SO-DIMM DDR2 modulokat előállítaniuk. Az új gyártástechnológia bevezetése mindig jelentős költségmegtakarítást eredményez a gyártó számára, ugyanis ezzel a módszerrel egy szilíciumostyán több tranzisztor fér el, ami nem csak nagyobb memóriasűrűséget eredményez, hanem értelemszerűen csökkenti az előállítási költségeket is -- de természetesen a felhasználók is jól járnak, mivel a kisebb működési feszültség révén mintegy 30 százalékos energiamegtakarítás érhető el.
A mostani átállás felgyorsíthatja a DDR3 modulok gyártósorának modernizálását is, amit konkrétan 2009 végére ígér a Samsung. Ez abból a szempontból is érdekes, hogy a szóban forgó Samsung, illetve az Elpida nemrégiben jelentették be az 50 nanométeres DDR3 lapkákat, de már most újabb átállást terveznek. Érthető a gyártók siettsége, hiszen az Intel mellett az AM3 foglalat megjelenésével hamarosan az AMD is "felszáll a DDR3 buszra". Az elemzők hatalmas áresést jósolnak az év végére, ami akár azt is jelentheti, hogy a prémiumkategóriás DDR3 modulok ára akár a tizedére eshet.
További jó hír, hogy a 40 nanométeres technológia a GDDR5 vonalra is átültethető, ami a grafikus kártyák szempontjából bír nagy jelentőséggel, így a DirectX 11 kompatibilis vezérlőkre már ezek az új típusú modulok kerülhetnek.
Felbuzdulva a sikeren a Samsungnál már megcélozták a 32 nanométert, ami hasonló előnyökkel kecsegtet a jövőben, mint a mostani átállás.
