Elsőként válthat 3 nm-re a Samsung Galaxy S12

|

A gyártástechnológiában elért friss áttörésnek hála a Galaxy S12 50 százalékkal jobb üzemidőt hoz majd, mint a Galaxy S10.

Hirdetés

A jelentések alapján a Samsung nem csak felzárkózik majd az Exynos lapkáival az Apple piacvezető A szériás chipjeihez, de a gyártástechnológiában elért friss áttöréseknek hála az egész piacot maga mögé utasíthatja, legalább 12 hónapos előnnyel. A Samsung elsőként válhat át a 3 nm-es gyártástechnológiára.

Hirdetés

Mindez természetesen teljesítményben, hatékonyságban és üzemidőben is sok pluszt hoz majd. A jelenleg chipek többsége 7 nm-es FinFET eljárással készül, a technológiát csak a Samsung tudta eddig 5 nm-esre zsugorítani. Ennek eredményeit már a jövő évi Galaxy S11 magával hozza. 

A 3 nm-es technológiához már egy új, úgynevezett GAA MBCFET technikát dolgozott ki a Samsung, ami forradalminak számít. A 7 nm-es chipek mérete 45 százalékkal csökkent, a teljesítmény több mint 35 százalékkal nő, a hatékonyság pedig 50 százalékkal. 

Hirdetés

A Galaxy S10 modellekben az európai piacon 8 nm-es FinFET technológiás Exynos 9820 SoC található, az amerikai és kínai verziókba került Snapdragon 855 7 nm-es FinFET eljárással készült. A Samsung Galaxy S12 elsőként válthat majd 2021-ben 3 nm-re. Az üzemidő a Galaxy S10-hez mérten több mint 50 százalékkal javulhat. 

Hirdetés

Úgy tűnik, AdBlockert használsz, amivel megakadályozod a reklámok megjelenítését. Amennyiben szeretnéd támogatni a munkánkat, kérjük add hozzá az oldalt a kivételek listájához, vagy támogass minket közvetlenül! További információért kattints!

Engedélyezi, hogy a https://pcworld.hu értesítéseket küldjön Önnek a kiemelt hírekről? Az értesítések bármikor kikapcsolhatók a böngésző beállításaiban.