Az Intel Optane meghajtói sok tekintetben ígéretesek és nagyszerűek, a Samsungnak azonban bőven akad erőforrása arra, hogy megpróbálja valamilyen más alternatívával kiszolgálni a piacot.
A NAND-ágazatban a Samsung az egyik legmeghatározóbb szereplő, ezért nem meglepő, hogy már dolgozik a Z-NAND fejlesztésén. Ez SLC-s gyökerekhez nyúlik vissza, természetesen fejlesztésekkel a kontrollert és a másodpercenként elvégezhető I/O-műveletek számát illetően, véletlenszerű és szekvenciális vonatkozásokban egyaránt.
Az SLC széles körben elterjedt az SSD-piacon, bár az utóbbi években teret hódított az MLC és a TLC NAND, amelyek a gigabájtonkénti költségeket igyekeznek csökkenteni. A Z-NAND elsősorban a válaszidőből próbál faragni, és olyan szintre eljutni, amit a NAND-memóriák piaca még nem látott.
Az Intel 750 GB-os Optane P4800X és a Samsung közelgő 800 GB-os SZ985 Z-NAND-meghajtója jó összehasonlítási alapot adnak. A Samsung meghajtója jobb a másodpercenkénti, véletlenszerű olvasási I/O-műveletekben (550K és 750K), azonban gyengébb írásban (550K és 170K). A szekvenciális olvasási és írási sebességek 3,2 GB per másodperces értéken alakulnak, ez az Optane P4800X esetében 2,4 és 2 GB per másodperc.
