Hirdetés

Az Intel hamarosan gyártja a DRAM és a NAND flash utódját

|

Az Intel már készen áll az MRAM sorozatgyártására. Ez lehet a DRAM és a NAND flash utódja.

Az EETimes jelentése szerint az Intel készen áll a saját fejlesztésű MRAM sorozatgyártására. Az MRAM egy nemfelejtő memóriatechnológia, vagyis az információt akkor is megtartja, ha esetleg áramkimaradás van. Tehát inkább nevezhető egyfajta tárhelynek, mint mondjuk RAM-nak. 

Hirdetés

Az MRAM ugyanakkor nagyon jelentős fejlesztésnek bizonyulhat. A fejlesztők egy hosszú távú, univerzális megoldásban gondolkoztak, amivel a DRAM-ot és a NAND flash-t szeretnék leváltani. Ezeknél ráadásul a skálázhatóság egyre keményebb feladatnak bizonyul, az MRAM pedig sokkal jobb skálázhatóságot ígér. 

Az MRAM ráadásul átlépi a DRAM jelenleg elfogadott elméleti korlátait, valamint akár több ezerszer gyorsabb írási sebességet garantál, mint a NAND flash technológia. 

A jelenlegi állapotában az MRAM 10 évig képes megőrizni az adatokat 200 Celsius-fokon, elképesztően strapabíró és időtálló, valamint a gyártás során is különösen nagy a hatékonyság. A 22 nm-es FinFET technológia mögött pedig állítólag az Intel 14 nm-es technológiái nyugszanak. 

Hirdetés

Úgy tűnik, AdBlockert használsz, amivel megakadályozod a reklámok megjelenítését. Amennyiben szeretnéd támogatni a munkánkat, kérjük add hozzá az oldalt a kivételek listájához, vagy támogass minket közvetlenül! További információért kattints!

Engedélyezi, hogy a https://pcworld.hu értesítéseket küldjön Önnek a kiemelt hírekről? Az értesítések bármikor kikapcsolhatók a böngésző beállításaiban.