A Samsung módosított specifikációra épülő GDDR 4 típusú modulokat mutatott be, mely 40 százalékkal nagyobb teljesítményre képest, mint az eredeti változat -- azonban többet is fogyaszt. Az új 512 megabites GDDR 4 memórialapka 80 nanométeres gyártástechnológiával készül, működési feszültsége pedig 1,4 - 2,1 Volt -- szemben az előző generáció 1,9 voltos maximális feszültségével. A lapka 4 gigahertzes órajelre képes 2 voltos feszültség mellett.
Egy négy megahertzes GDDR 4 memória sávszélessége másodpercenként 16 Gigabájt, ami a mai grafikus kártyákon található 256 bites memóriavezérlővel 128 gigabájtra növelhető -- ez kétszerese, mint amire az X1950XTX jelenleg képes. A sávszélesség természetesen tovább növelhető 512 bites vezérlő használatával, ami már háromszor gyorsabb átvitelt tesz lehetővé, mint amire a jelenlegi leggyorsabb grafikus kártya (NVidia GeForce 8800 GTX) képes.
Az új specifikációjú Samsung modul megjelenése alaposan átszervezte az eredeti útitervet, mely szerint a GDDR 4 órajele ebben az évben egészen 2,8 gigahertzig skálázódott volna, míg csak a 2008-ban megjelenő GDDR 5 lett volna képes ennél gyorsabb működésre. Ugyanakkor már számítani lehetett a technológiai áttörésre, hiszen a Samsung által gyártott GDDR 4 már a tavalyi évben elérte a 3,2 gigahertzes órajelet.
A Samsung először 2006. februárjában érte el az imént említett 3,2 gigahertzes órajelet, azonban a júliusban kezdődő sorozatgyártásba már csak 2,4 gigahertzre alkalmas modulok kerültek -- ennek ellenére még egyetlen grafikus kártya sincs a piacon, ami képes lenne ekkora órajelre. A lassítás oka a nyomtatott áramkörök behatárolt képességeiben keresendő. Mindezen okoknál fogva egyelőre nem számíthatunk az új modulok gyors megjelenésére, hiszen még az előző generáció képességeit sem sikerült teljes mértékben kiaknázni.
