Élet a flashen túl

|

A flash memória utódjának szánt PRAM ötszázszor gyorsabb lesz, feleannyi energiát fogyaszt és akárhányszor újraírható - a Samsung szerint akár 10 éven belül!

A NOR típusú lapkák viszonylag gyors olvasási sebességgel rendelkeznek, a NAND-ok pedig írásban jeleskednek: egy I/O rendszer esetében azonban mindkettőre szükség van. További hátrány, hogy ezek élettartama aktív használat esetén könnyen lerövidülhet. Egy átlagos NOR körülbelül 100 ezer RW ciklust bír ki, a NAND pedig 1 milliót.

 

 

A szerkezetváltó memória (phase-change random access memory) az IBM új félvezetőjét használja: az anyag villámgyorsan képes amorf és kristályos felépítést felvenni. Vezetőképességük pillanatnyi állapotuktól függ, ennek köszönhetik kapcsolási képességüket. A PRAM nem az egyetlen versenyző a flash örökségéért: ne feledkezzünk el a mágneses memóriáról - MRAM - sem, amely sokszoros sebességet ígér még a PRAM-hoz viszonyítva is - amint sikerül leküzdeni az alacsony tárolókapacitással kapcsolatos problémákat.

 

A Samsung már le is csapott az IBM-Macronix-Qimonda triumvirátus által fejlesztett technológiára. Állításuk szerint tíz éven belül a szerkezetváltó memória legalább olyan elterjedt lesz, mint most a flash - kíváncsian várjuk az eredményeket.

Hirdetés

Úgy tűnik, AdBlockert használsz, amivel megakadályozod a reklámok megjelenítését. Amennyiben szeretnéd támogatni a munkánkat, kérjük add hozzá az oldalt a kivételek listájához, vagy támogass minket közvetlenül! További információért kattints!

Engedélyezi, hogy a https://pcworld.hu értesítéseket küldjön Önnek a kiemelt hírekről? Az értesítések bármikor kikapcsolhatók a böngésző beállításaiban.