A NOR típusú lapkák viszonylag gyors olvasási sebességgel rendelkeznek, a NAND-ok pedig írásban jeleskednek: egy I/O rendszer esetében azonban mindkettőre szükség van. További hátrány, hogy ezek élettartama aktív használat esetén könnyen lerövidülhet. Egy átlagos NOR körülbelül 100 ezer RW ciklust bír ki, a NAND pedig 1 milliót.
A szerkezetváltó memória (phase-change random access memory) az IBM új félvezetőjét használja: az anyag villámgyorsan képes amorf és kristályos felépítést felvenni. Vezetőképességük pillanatnyi állapotuktól függ, ennek köszönhetik kapcsolási képességüket. A PRAM nem az egyetlen versenyző a flash örökségéért: ne feledkezzünk el a mágneses memóriáról - MRAM - sem, amely sokszoros sebességet ígér még a PRAM-hoz viszonyítva is - amint sikerül leküzdeni az alacsony tárolókapacitással kapcsolatos problémákat.
A Samsung már le is csapott az IBM-Macronix-Qimonda triumvirátus által fejlesztett technológiára. Állításuk szerint tíz éven belül a szerkezetváltó memória legalább olyan elterjedt lesz, mint most a flash - kíváncsian várjuk az eredményeket.
