A memória és háttértár árak durván fluktuáltak az elmúlt években, hol nagyon felszaladtak például a gyártási nehézségek miatt, hol beszakadt az egész piac egy-egy új technológia megjelenésével. Most egy japán startup, a NEO Semiconductor számolt be izgalmas áttörésről, ami hatalmas ugrást jelenthet a DRAM-ok világában.
A vállalat bejelentette az első 3D NAND-szerű megoldását, amivel a tradicionális DRAM megoldásokat váltanák ki. A 3D X-DRAM névre kereztelt technológia a beszámolók szerint nyolcszor sűrűbb a jelenleg is használt változatoknál: 230 réteggel 128 Gbit-es sűrűséget kapunk, ami leszámolhat az eddigi égető kapacitáslimittel.
A kondenzátorok nélküli lebegőtest cellatechnológia gyártási költsége sem kifejezetten magas, ami felgyorsíthatja a piaci adaptációt.
A NEO mérnökei szerint 2030-ra már bőven lesz realitása az 1 TB-os 3D X-DRAM megoldásoknak, a ChatGPT-hez hasonló MI-megoldások pedig igényelni is fogják a nagy teljesítményű, nagy kapacitású adattárolási megoldásokat.
