A Samsung új mobilos chipjei áttörik a 3 GHz-es határt

|

A Samsung és az ARM közösen dolgoznak az új 7 és 5 nm-es FinFET gyártástechnológiákon.

A Samsung bejelentette, hogy az ARM embereivel közösen dolgozik az új 7 és 5 nm-es FinFET gyártástechnológiákon. Ezek lehetővé teszik az olyan chipek gyártását, amelyek az ARM Cortex-A76-os terveire építkeznek, és 3 GHz-nél is magasabb órajeleket kínálnak. 

Hirdetés

Arról, hogy a 7 nm-es, Cortex-A76-alapú chipek képesek lesznek a 3 GHz-nél magasabb órajelek elérésére, már az ARM is beszélt, amikor bejelentette az új dizájnt. A nagy érdekesség az, hogy maga a Samsung dolgozik a chipek megépítésén, és még az idei évben piacra is dobja azokat. 

Az ARM szerint a Cortex-A76-os chipek 35 százalékot vernek teljesítményben az elődjeikre, miközben 40 százalékkal kevesebb energiát használnak. A cég szerint laptopszintű teljesítménnyel számolhatunk, vagyis az okostelefonok mellett akár hibridekben, laptopokban és Chromebookokban is felbukkanhatnak az ilyen lapkák. 

Teljesítményben mindenesetre a jelenlegi csúcslapkák is több mint elegendő tudással bírnak - a fejlődést a mesterséges intelligencia és a gépi tanulás kapcsán érezhetjük majd. A Snapdragon 845 és az Apple A11 Bionic egyébként 10 nm-es chipek, a középkategóriában pedig 14-28 nm-es lapkákat találunk. 

A Samsung szerint a 7 nm-es chipek már idén elkészülnek, vagyis 2019 elején érkezhetnek az ezekre építő okostelefonok. Az is lehet, hogy a Galaxy S10 lesz az első. 

Úgy tűnik, AdBlockert használsz, amivel megakadályozod a reklámok megjelenítését. Amennyiben szeretnéd támogatni a munkánkat, kérjük add hozzá az oldalt a kivételek listájához, vagy támogass minket közvetlenül! További információért kattints!

Engedélyezi, hogy a https://pcworld.hu értesítéseket küldjön Önnek a kiemelt hírekről? Az értesítések bármikor kikapcsolhatók a böngésző beállításaiban.